ГОСТ

Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →

• ГОСТ 17466-80.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры
  Название (англ): Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров
  
• ГОСТ 17704-72.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений
  Название (англ): Semiconductor devices. Photoelectric receivers of radiant energy. Classification and system designations
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на неохлаждаемые и охлаждаемые фотоэлектрические полупроводниковые приемники лучистой энергии и устанавливает классификацию и систему единого обозначения фоторезисторов, фотомагнитных приемников, фотоприемников с p-n переходами с внутренним усилением и без внутреннего усиления
  
• ГОСТ 17772-88.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик
  Название (англ): Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Methods of measuring photoelectric parameters and determining characteristics
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на фотоэлектрические полупроводниковые приемники излучения (ФЭПП) и фотоприемные устройства (ФПУ) на их основе, чувствительные к излучению в диапазоне длин волн от 0,2 до 100 мкм.
  Стандарт не распространяется на ФЭПП и ФПУ, подлежащие аттестации в качестве средств измерений.
  Стандарт устанавливает методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик
  
• ГОСТ 18472-88.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Приборы полупроводниковые. Основные размеры
  Название (англ): Semiconductor devices. Basic dimensions
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы в корпусах и устанавливает их габаритные и присоединительные размеры.
  Стандарт не распространяется на селеновые приборы, термисторы, варисторы, выпрямительные столбы и блоки, диодные и транзисторные наборы, оптоэлектронные приборы
  
• ГОСТ 18577-80.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Устойства термоэлектрические полупроводниковые. Термины и определения
  Название (англ): Thermoelectric semiconductor devices. Terms and definitions
  Назначение: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых термоэлектрических устройств.
  Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе
  
• ГОСТ 18604.0-83.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров
  Название (англ): Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений
  
• ГОСТ 18604.1-80.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
  Название (англ): Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
  
• ГОСТ 18604.2-80.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока
  Название (англ): Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах
  
• ГОСТ 18604.3-80.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов
  Название (англ): Transistors bipolar. Methods for measuring collector and emitter capacitances
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов:
  с использованием резистивно-емкостного делителя;
  с использованием моста.
  Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности.
  Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности
  
• ГОСТ 18604.4-74.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора
  Название (англ): Transistors. Method for measuring collector reverse current
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА
  

← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →