Ваш город:
ГОСТ
Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045
31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045
← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →
- Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора
Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора - Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки
Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки - Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока
Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока - Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме
Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме - Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме
Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме - Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума
Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума - Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока
Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА - Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток
Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора - Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока
Field-effect transistors. Method of measuring output power, power gain and drain efficiency
Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные и сверхвысокочастотные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока в схеме генератора с независимым возбуждением - Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования
Power semiconductor devices. General technical requirements
Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие:
1) в средах с токопроводящей пылью;
2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
3) во взрывоопасной среде;
4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений
Большое спасибо!
Менеджер Елена разобралась в сути нашей проблемы, каждый раз давала очень понятные консультации и помогла собрать все документы. Елена все проверила, перепроверила и взяла решение всех текущих вопросов на себя. Большое спасибо!
Гришина В. И., компания «СТР»Спасибо!
У меня получилось все документы заказать в вашем центре. Очень удобно!
Компания «Исток»Спасибо!
Спасибо менеджеру центра «Севтест» Светлане за оказанные услуги. Нам предоставили ответы на наши вопросы и полезные рекомендации по повышению эффективности ведения бизнеса в соответствии с законодательством. Сотрудничество с вами оставило после себя приятные впечатления.
ООО «Гроза»Спасибо!
Спасибо за проявленную внимательность при оформлении моих документов.
Маринина А.О., г. МоскваБлагодарим!
Благодарим специалистов вашего центра за помощь в процессе решения всех поставленных задач. Мы получили не только их своевременное выполнение, но и профессиональное сопровождение на всех этапах. Нас проинформировали об изменениях в законодательстве, с которыми мы еще не успели ознакомиться. Надеемся на дальнейшее сотрудничество и сохранение сложившихся дружеских отношений. Теперь, когда наши коллеги к нам обращаются за советом, в какой центр обратиться, мы с уверенностью отвечаем – в «Севтест»!
Компания «БиС»
