Ваш город:
ГОСТ
Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045
31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045
← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →
- Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении - Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок - Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия
Semiconductor microwave diodes. General specifications
Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта.
Стандарт не распространяется на бескорпусные сверхвысокочастотные диоды - Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Thyristors. Terms, definitions and letter symbols
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров тиристоров.
Термины и буквенные обозначения, русские и (или) международные, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе - Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров
Field-effect transistors. General requirements for measuring electrical parameters
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений. Стандарт следует применять совместно с соответствующими стандартами комплекса при разработке измерительной аппаратуры и проведении измерений электрических параметров полевых транзисторов - Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи
Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) - Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума
Field-effect transistors. Noise figure measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума - Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики
Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) - Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости
Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) - Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей
Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)
Большое спасибо!
Менеджер Елена разобралась в сути нашей проблемы, каждый раз давала очень понятные консультации и помогла собрать все документы. Елена все проверила, перепроверила и взяла решение всех текущих вопросов на себя. Большое спасибо!
Гришина В. И., компания «СТР»Спасибо!
У меня получилось все документы заказать в вашем центре. Очень удобно!
Компания «Исток»Спасибо!
Спасибо менеджеру центра «Севтест» Светлане за оказанные услуги. Нам предоставили ответы на наши вопросы и полезные рекомендации по повышению эффективности ведения бизнеса в соответствии с законодательством. Сотрудничество с вами оставило после себя приятные впечатления.
ООО «Гроза»Спасибо!
Спасибо за проявленную внимательность при оформлении моих документов.
Маринина А.О., г. МоскваБлагодарим!
Благодарим специалистов вашего центра за помощь в процессе решения всех поставленных задач. Мы получили не только их своевременное выполнение, но и профессиональное сопровождение на всех этапах. Нас проинформировали об изменениях в законодательстве, с которыми мы еще не успели ознакомиться. Надеемся на дальнейшее сотрудничество и сохранение сложившихся дружеских отношений. Теперь, когда наши коллеги к нам обращаются за советом, в какой центр обратиться, мы с уверенностью отвечаем – в «Севтест»!
Компания «БиС»
