ГОСТ

Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →

• ГОСТ 21934-83.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения
  Название (англ): Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Terms and definitions
  Назначение: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств и термины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик.
  Термины и буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе
  
• ГОСТ 23448-79.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры
  Название (англ): Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов
  
• ГОСТ 23900-87.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры
  Название (англ): Power semiconductor devices. Overall and mounting dimensions
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы - диоды и тиристоры на токи 10 А и более
  
• ГОСТ 24041-80.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Таситроны. Основные параметры
  Название (англ): Gas disharge devices. Tesitrons. Main parameters
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на таситроны и устанавливает ряды значений основных параметров и их допустимые сочетания
  
• ГОСТ 24173-80.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Тиристоры. Основные параметры
  Название (англ): Thyristors. Essential parameters
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые триодные запираемые, незапираемые (малой и средней мощности) и импульсные кремниевые тиристоры и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров
  
• ГОСТ 24352-80.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Излучатели полупроводниковые. Основные параметры
  Название (англ): Semiconductor photoemitters. Main parameters
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров
  
• ГОСТ 24376-91.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Инверторы полупроводниковые. Общие технические условия
  Название (англ): Semiconductor inverters. General specifications
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инверторы на напряжение до 1 кВ с частотой до 10000 Гц, номинальными токами на выходе до 10 кА, изготовляемые для нужд народного хозяйства и экспорта.
  Стандарт не распространяется на инверторы: ведомые; летательных аппаратов; тяговые; специализированного назначения, являющиеся составными частями более сложных устройств (преобразователей частоты, блоков радиоэлектронной аппаратуры, устройств связи и др.), а также работающие во взрывоопасных средах и в средах с токопроводящей пылью
  
• ГОСТ 24461-80.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний
  Название (англ): Power semiconductor devices. Test and measurement methods
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы, кроме арсенид-галлиевых приборов, диоды, тиристоры на максимально допустимые средние или действующие токи 10А и более и устанавливает методы измерения параметров и проверки (испытаний) предельно допустимых значений параметров, в том числе условия, схемы, режимы, требования к элементам схем и контрольно-измерительному оборудованию, последовательность операций при измерениях и проверках
  
• ГОСТ 24607-88.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Преобразователи частоты полупроводниковые. Общие технические требования
  Название (англ): Semiconductor frequency converters. General technical requirements
  Назначение: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые преобразователи частоты (непосредственные и двухзвенные) с выходными токами от 0,004 до 25000 А, выходными напряжениями от 6 до 20000 В и выходными частотами от 5 до 10000 Гц и устанавливает требования к преобразователям, изготовляемым для нужд народного хозяйства и экспорта.
  Настоящий стандарт не распространяется на бортовые преобразователи, работающие во взрывоопасных средах, средах с токопроводящей пылью и на преобразователи, предназначенные для использования в технологических процессах с синхронно-гистерезисными двигателями
  
• ГОСТ 25529-82.

  действующий

  от: 01.08.2013
  Название: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
  Название (англ): Semiconductor diodes. Terms, definitions and letter symbols
  Назначение: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых диодов
  

← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 →