Транзисторы биполярные. Метод измерения граничного напряжения Bipolar transistors . Method of measuring threshold voltage Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения граничного напряжения
Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения коэффициента шума: сравнением с опорным усилителем на частотах от 2 до 100000 Гц; способом удвоения выходной мощности шума на частоте 1 кГц
Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер Transistors bipolar. Methods for measuring collector-emitter and base-emitter saturation voltage Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер в схеме с общим эмиттером на постоянном и импульсном токах
Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих Bipolar transistors. Method for measuring combination frequencies Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные генераторные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих третьего М3 и пятого М5 порядков
Транзисторы биполярные высокочастотные. Метод измерения выходной мощности коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора Transistors bipolar high-frequency. Techniques for measuring output power, power gain and collector efficiency Настоящий стандарт распространяется на биполярные мощные высокочастотные линейные и высокочастотные генераторные транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора в схеме генератора с независимым возбуждением (усилителя)
Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки, времени нарастания, времени включения, времени рассасывания, времени спада, времени выключения
Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора) Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current Настоящий стандарт распространяется на мощные высоковольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения пробивного напряжения коллектор-база и эмиттер-база с использованием источника напряжения
Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров Field effect transistors. Terms, definitions and parameter symbols Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров полевых транзисторов
Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов. Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе. Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок
Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров Field-effect transistors. General requirements for measuring electrical parameters Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений. Стандарт следует применять совместно с соответствующими стандартами комплекса при разработке измерительной аппаратуры и проведении измерений электрических параметров полевых транзисторов
Менеджер Елена разобралась в сути нашей проблемы, каждый раз давала очень понятные консультации и помогла собрать все документы. Елена все проверила, перепроверила и взяла решение всех текущих вопросов на себя. Большое спасибо!
Гришина В. И., компания «СТР»
Спасибо!
У меня получилось все документы заказать в вашем центре. Очень удобно!
Компания «Исток»
Спасибо!
Спасибо менеджеру центра «Севтест» Светлане за оказанные услуги. Нам предоставили ответы на наши вопросы и полезные рекомендации по повышению эффективности ведения бизнеса в соответствии с законодательством. Сотрудничество с вами оставило после себя приятные впечатления.
ООО «Гроза»
Спасибо!
Спасибо за проявленную внимательность при оформлении моих документов.
Маринина А.О., г. Москва
Благодарим!
Благодарим специалистов вашего центра за помощь в процессе решения всех поставленных задач. Мы получили не только их своевременное выполнение, но и профессиональное сопровождение на всех этапах. Нас проинформировали об изменениях в законодательстве, с которыми мы еще не успели ознакомиться. Надеемся на дальнейшее сотрудничество и сохранение сложившихся дружеских отношений. Теперь, когда наши коллеги к нам обращаются за советом, в какой центр обратиться, мы с уверенностью отвечаем – в «Севтест»!